二九文学

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第十七章 九顾茅庐也应当（第1页）

飞往上京的航班头等舱。

郑健和李妍彤小声的讨论着。

这是郑健第三次飞往上京了，而李妍彤是第九次飞往上京。

他们去上京的目的是邀请华国科学院的向中南院士加入到红日集团的芯片研发项目。

向中南是华国芯片行业的权威专家，特别是在碳基芯片的前沿研究领域。

他领导的华国科学院碳基项目已经取得突破性的进展，可以在碳纳米管的基础上，使用光刻技术开发出实用的芯片。

普通的芯片生产是在高纯度晶圆上，涂抹光刻胶。

必须要保证光刻胶非常平、非常薄。

然后使用光刻机进行光刻，这一步需要的技术水平非常高。

光刻技术是一种精密的微细加工技术。

光刻技术采用波长极短的紫外光作为电路图载体，在光刻胶上实现图形的变换、转移和处理，最终把设计好的电路图像照相机一样传递到晶片上。

光刻包括光复印和刻蚀两个主要方面：

光复印像照相机在胶片显影一样，经曝光后将电路图形精确的复制到晶片上的光刻胶薄层上。

刻蚀是利用化学或物理方法，将光刻胶薄层未掩蔽的晶片表层除去，从而在晶片上获得与设计图完全一致的电路图形。

集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺需要多次反复进行。

大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。

经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。

越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。

现在先进的芯片有30多层。

光刻与刻蚀之后，还要进行离子注入。

在真空中，用经过加速的原子、离子注入固体材料，使被注入的区域形成特殊的注入层，改变该区域硅的导电性。

再下一步是电镀。

在晶圆上电镀一层硫酸铜，把铜离子沉淀到晶体管上。

电镀后还要抛光，将多余的铜去掉。

最后芯片还需要测试，合格的芯片才会封装出厂。

因此生产大规模集成电路非常的复杂，这与集成电路刚出现的时候不可同日而语。

在硅基芯片米国已经走在前列，而且在可遇见的未来，硅基芯片会达到极致，遇到瓶颈。

因为在硅片上制造出来的晶体管不可能无限小，总会到达一个极限点。

如果想超越米国，也基本上是在终点线上汇合。

因此华国政府除了在CPU、存储芯片上继续研发传统的硅基芯片，也在新的芯片生产技术上投入了大量的人力与财力。

华国科学院半导体所就是新的芯片技术的主力军和领头羊。

郑健想要邀请的向中南院士就是负责碳基芯片研发的总工程师。

对于红日集团的邀请，第一次根本没有见到向中南院士。